| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | APT29F80J |
| EBEE 부품 번호 | E85554175 |
| 패키지 | SOT-227B-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 800V 31A 543W 210mΩ@10V,24A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $110.7261 | $ 110.7261 |
| 200+ | $44.1817 | $ 8836.3400 |
| 500+ | $42.7040 | $ 21352.0000 |
| 1000+ | $41.9756 | $ 41975.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | MICROCHIP APT29F80J | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 31A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 210mΩ@10V,24A | |
| 전력 손실(Pd) | 543W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | [email protected] | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 9.326nF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 303nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $110.7261 | $ 110.7261 |
| 200+ | $44.1817 | $ 8836.3400 |
| 500+ | $42.7040 | $ 21352.0000 |
| 1000+ | $41.9756 | $ 41975.6000 |
