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Microchip Tech 2N3501E3
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | 2N3501E3 |
| EBEE 부품 번호 | E83201258 |
| 패키지 | TO-39(TO-205AD) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 150V 500mW 100@150mA,10V 300mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $40.7460 | $ 40.7460 |
| 200+ | $15.7693 | $ 3153.8600 |
| 500+ | $15.2139 | $ 7606.9500 |
| 1000+ | $14.9407 | $ 14940.7000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| 데이터시트 | MICROCHIP 2N3501E3 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| 콜렉터 전류(Ic) | 300mA | |
| 전력 손실(Pd) | 500mW | |
| 콜렉터 차단 전류(Icbo) | 10uA | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vceo) | 150V | |
| DC 전류 이득(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| 전환 주파수(fT) | - | |
| 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $40.7460 | $ 40.7460 |
| 200+ | $15.7693 | $ 3153.8600 |
| 500+ | $15.2139 | $ 7606.9500 |
| 1000+ | $14.9407 | $ 14940.7000 |
