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Microchip Tech 2N3439U4
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | 2N3439U4 |
| EBEE 부품 번호 | E83202196 |
| 패키지 | SMD-3P |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $707.5828 | $ 707.5828 |
| 200+ | $273.8264 | $ 54765.2800 |
| 500+ | $264.2019 | $ 132100.9500 |
| 1000+ | $259.4483 | $ 259448.3000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| 데이터시트 | MICROCHIP 2N3439U4 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| 콜렉터 전류(Ic) | 1A | |
| 전력 손실(Pd) | 800mW | |
| 콜렉터 차단 전류(Icbo) | 2uA | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vceo) | 350V | |
| DC 전류 이득(hFE@Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| 전환 주파수(fT) | - | |
| 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $707.5828 | $ 707.5828 |
| 200+ | $273.8264 | $ 54765.2800 |
| 500+ | $264.2019 | $ 132100.9500 |
| 1000+ | $259.4483 | $ 259448.3000 |
