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MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E


제조사
제조사 부품 번호
MMBT5551-E
EBEE 부품 번호
E841371418
패키지
SOT-23
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
160V 300mW 80@1mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
10+$0.0099$ 0.0990
100+$0.0081$ 0.8100
300+$0.0071$ 2.1300
3000+$0.0061$ 18.3000
6000+$0.0056$ 33.6000
9000+$0.0053$ 47.7000
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유형설명
전체 선택
카테고리트랜지스터/사이리스터 ,양극성(BJT)
데이터시트MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E
RoHS
작동 온도-55℃~+150℃
유형NPN
Collector - Emitter Voltage VCEO160V
Current - Collector(Ic)600mA
Number1 NPN
Pd - Power Dissipation300mW
DC Current Gain300
Emitter-Base Voltage(Vebo)6V
Current - Collector Cutoff50nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Transition frequency(fT)300MHz

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