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MDD(Microdiode Semiconductor) D882-GR
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | D882-GR |
| EBEE 부품 번호 | E83200459 |
| 패키지 | SOT-89-3L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 500mW 160@1A,2V 300mA NPN SOT-89-3L Bipolar (BJT) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9583 | $ 0.9583 |
| 200+ | $0.3709 | $ 74.1800 |
| 500+ | $0.3585 | $ 179.2500 |
| 1000+ | $0.3514 | $ 351.4000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| 데이터시트 | MDD(Microdiode Semiconductor) D882-GR | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | - | |
| 콜렉터 전류(Ic) | 300mA | |
| 전력 손실(Pd) | 500mW | |
| 콜렉터 차단 전류(Icbo) | 1uA | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vceo) | 30V | |
| DC 전류 이득(hFE@Ic,Vce) | 160@1A,2V | |
| 전환 주파수(fT) | 90MHz | |
| 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@2A,200mA | |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9583 | $ 0.9583 |
| 200+ | $0.3709 | $ 74.1800 |
| 500+ | $0.3585 | $ 179.2500 |
| 1000+ | $0.3514 | $ 351.4000 |
