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LGE LGE3D20120H
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | LGE3D20120H |
| EBEE 부품 번호 | E85358474 |
| 패키지 | TO-247-2L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 1.2kV Independent Type 1.45V 20A TO-247-2L SiC Diodes ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5418 | $ 2.5418 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,SiC 다이오드 | |
| 데이터시트 | LGE LGE3D20120H | |
| RoHS | ||
| 역누설전류(Ir) | 200uA@1200V | |
| 다이오드 구성 | Independent | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.45V | |
| Current - Rectified | 20A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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