| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IS34ML01G081-BLI |
| EBEE 부품 번호 | E81348840 |
| 패키지 | VFBGA-63(9x11) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | 3A991B1A |
| 설명 | 2.7V~3.6V 1Gbit VFBGA-63(9x11) NAND FLASH ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 메모리 ,낸드 플래시 | |
| 데이터시트 | ISSI(Integrated Silicon Solution) IS34ML01G081-BLI | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+85℃ | |
| 인터페이스 | - | |
| 전압 - 공급 | 2.7V~3.6V | |
| 메모리 크기 | 1Gbit | |
| 페이지 프로그래밍 시간(Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 10uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
