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Infineon Technologies IRLHM630TRPBF
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRLHM630TRPBF |
| EBEE 부품 번호 | E8148139 |
| 패키지 | PQFN-8(3.1x3.1) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 30V 406A 2.7W 3.5mΩ@4.5V,20A 1.1V@50uA 1 N-channel PQFN-8(3.1x3.1) MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9988 | $ 0.9988 |
| 10+ | $0.8453 | $ 8.4530 |
| 30+ | $0.7676 | $ 23.0280 |
| 100+ | $0.6900 | $ 69.0000 |
| 500+ | $0.5527 | $ 276.3500 |
| 1000+ | $0.5292 | $ 529.2000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | Infineon IRLHM630TRPBF | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 406A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@4.5V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 2.7W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 1.1V@50uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 250pF | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 3170pF | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 41nC@15V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9988 | $ 0.9988 |
| 10+ | $0.8453 | $ 8.4530 |
| 30+ | $0.7676 | $ 23.0280 |
| 100+ | $0.6900 | $ 69.0000 |
| 500+ | $0.5527 | $ 276.3500 |
| 1000+ | $0.5292 | $ 529.2000 |
