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Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200BHI000
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | S34ML01G200BHI000 |
| EBEE 부품 번호 | E8117901 |
| 패키지 | BGA-63 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | 3A991B1A |
| 설명 | 2.7V~3.6V 1Gbit BGA-63 NAND FLASH ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5678 | $ 2.5678 |
| 10+ | $2.2073 | $ 22.0730 |
| 30+ | $1.9810 | $ 59.4300 |
| 210+ | $1.5495 | $ 325.3950 |
| 420+ | $1.4439 | $ 606.4380 |
| 1050+ | $1.3986 | $ 1468.5300 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 메모리 ,낸드 플래시 | |
| 데이터시트 | Infineon/Cypress Semicon S34ML01G200BHI000 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -40℃~+85℃ | |
| 인터페이스 | - | |
| 전압 - 공급 | 2.7V~3.6V | |
| 클록 주파수 | - | |
| 메모리 크기 | 1Gbit | |
| 페이지 프로그래밍 시간(Tpp) | 300us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5678 | $ 2.5678 |
| 10+ | $2.2073 | $ 22.0730 |
| 30+ | $1.9810 | $ 59.4300 |
| 210+ | $1.5495 | $ 325.3950 |
| 420+ | $1.4439 | $ 606.4380 |
| 1050+ | $1.3986 | $ 1468.5300 |
