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HXY MOSFET US1G


제조사
제조사 부품 번호
US1G
EBEE 부품 번호
E85199105
패키지
SMA
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
1.3V@1A 50ns Independent Type 1A 400V SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
20+$0.0093$ 0.1860
200+$0.0073$ 1.4600
600+$0.0062$ 3.7200
2000+$0.0054$ 10.8000
10000+$0.0048$ 48.0000
20000+$0.0045$ 90.0000
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유형설명
전체 선택
카테고리Diodes ,Fast Recovery / High Efficiency Diodes
데이터시트HXY MOSFET US1G
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)5uA@400V
Diode ConfigurationIndependent
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)400V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@1A
Current - Rectified1A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current30A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+150℃

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