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HXY MOSFET HC4D20120D


제조사
제조사 부품 번호
HC4D20120D
EBEE 부품 번호
E819723888
패키지
TO-247-3L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
1.2kV 1 pair of common cathodes 1.5V@10A TO-247-3L SiC Diodes ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$2.6201$ 2.6201
10+$2.2457$ 22.4570
30+$1.9817$ 59.4510
90+$1.7572$ 158.1480
510+$1.6526$ 842.8260
990+$1.6061$ 1590.0390
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유형설명
전체 선택
카테고리Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
데이터시트HXY MOSFET HC4D20120D
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)250uA@1200V
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1.2kV
Voltage - Forward(Vf@If)1.5V@10A
Current - Rectified34A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

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