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HXY MOSFET HC3D08065A
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC3D08065A |
| EBEE 부품 번호 | E822449556 |
| 패키지 | TO-220-2L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 650V Independent Type 1.3V@8A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9978 | $ 0.9978 |
| 10+ | $0.8241 | $ 8.2410 |
| 50+ | $0.7304 | $ 36.5200 |
| 100+ | $0.6231 | $ 62.3100 |
| 500+ | $0.5757 | $ 287.8500 |
| 1000+ | $0.5540 | $ 554.0000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC3D08065A | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@8A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 64A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9978 | $ 0.9978 |
| 10+ | $0.8241 | $ 8.2410 |
| 50+ | $0.7304 | $ 36.5200 |
| 100+ | $0.6231 | $ 62.3100 |
| 500+ | $0.5757 | $ 287.8500 |
| 1000+ | $0.5540 | $ 554.0000 |
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