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HXY MOSFET HC3D04065E


제조사
제조사 부품 번호
HC3D04065E
EBEE 부품 번호
E822449553
패키지
TO-252-2L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
650V Independent Type 1.3V@4A TO-252-2L SiC Diodes ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.8948$ 0.8948
10+$0.7486$ 7.4860
30+$0.6668$ 20.0040
100+$0.5759$ 57.5900
500+$0.5351$ 267.5500
1000+$0.5166$ 516.6000
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유형설명
전체 선택
카테고리Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
데이터시트HXY MOSFET HC3D04065E
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)50uA@650V
Diode ConfigurationIndependent
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@4A
Current - Rectified14A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current36A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

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