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| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC3D04065E |
| EBEE 부품 번호 | E822449553 |
| 패키지 | TO-252-2L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 650V Independent Type 1.3V@4A TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8948 | $ 0.8948 |
| 10+ | $0.7486 | $ 7.4860 |
| 30+ | $0.6668 | $ 20.0040 |
| 100+ | $0.5759 | $ 57.5900 |
| 500+ | $0.5351 | $ 267.5500 |
| 1000+ | $0.5166 | $ 516.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC3D04065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@4A | |
| Current - Rectified | 14A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 36A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8948 | $ 0.8948 |
| 10+ | $0.7486 | $ 7.4860 |
| 30+ | $0.6668 | $ 20.0040 |
| 100+ | $0.5759 | $ 57.5900 |
| 500+ | $0.5351 | $ 267.5500 |
| 1000+ | $0.5166 | $ 516.6000 |
