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HXY MOSFET HC1D08065F


제조사
제조사 부품 번호
HC1D08065F
EBEE 부품 번호
E841428794
패키지
TO-220F-2L
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
TO-220F-2L SiC Diodes ROHS
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$1.7077$ 1.7077
10+$1.4462$ 14.4620
50+$1.2812$ 64.0600
100+$1.1131$ 111.3100
500+$1.0368$ 518.4000
1000+$1.0041$ 1004.1000
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유형설명
전체 선택
카테고리Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
데이터시트HXY MOSFET HC1D08065F
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)50uA@650V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@8A
Current - Rectified19A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current64A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

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