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HXY MOSFET HC1D06065N


제조사
제조사 부품 번호
HC1D06065N
EBEE 부품 번호
E841428799
패키지
QPFN-8(5x6)
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
-
설명
QPFN-8(5x6) SiC Diodes ROHS
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$0.8451$ 0.8451
10+$0.6824$ 6.8240
30+$0.6010$ 18.0300
100+$0.5212$ 52.1200
500+$0.4617$ 230.8500
1000+$0.4367$ 436.7000
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유형설명
전체 선택
카테고리Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes
데이터시트HXY MOSFET HC1D06065N
RoHS
Reverse Leakage Current (Ir)50uA@650V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.3V@6A
Current - Rectified23A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current48A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃

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