| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC1D06065N |
| EBEE 부품 번호 | E841428799 |
| 패키지 | QPFN-8(5x6) |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | QPFN-8(5x6) SiC Diodes ROHS |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8451 | $ 0.8451 |
| 10+ | $0.6824 | $ 6.8240 |
| 30+ | $0.6010 | $ 18.0300 |
| 100+ | $0.5212 | $ 52.1200 |
| 500+ | $0.4617 | $ 230.8500 |
| 1000+ | $0.4367 | $ 436.7000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC1D06065N | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 50uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@6A | |
| Current - Rectified | 23A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 48A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8451 | $ 0.8451 |
| 10+ | $0.6824 | $ 6.8240 |
| 30+ | $0.6010 | $ 18.0300 |
| 100+ | $0.5212 | $ 52.1200 |
| 500+ | $0.4617 | $ 230.8500 |
| 1000+ | $0.4367 | $ 436.7000 |
