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HXY MOSFET HC1D04065F
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC1D04065F |
| EBEE 부품 번호 | E841428795 |
| 패키지 | TO-220F-2L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-220F-2L SiC Diodes ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9628 | $ 0.9628 |
| 10+ | $0.8078 | $ 8.0780 |
| 50+ | $0.7126 | $ 35.6300 |
| 100+ | $0.6161 | $ 61.6100 |
| 500+ | $0.5742 | $ 287.1000 |
| 1000+ | $0.5538 | $ 553.8000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC1D04065F | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@4A | |
| Current - Rectified | 10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 36A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9628 | $ 0.9628 |
| 10+ | $0.8078 | $ 8.0780 |
| 50+ | $0.7126 | $ 35.6300 |
| 100+ | $0.6161 | $ 61.6100 |
| 500+ | $0.5742 | $ 287.1000 |
| 1000+ | $0.5538 | $ 553.8000 |
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