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HXY MOSFET HC1D02065E
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC1D02065E |
| EBEE 부품 번호 | E841428787 |
| 패키지 | TO-252-2L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-252-2L SiC Diodes ROHS |
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191 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6015 | $ 0.6015 |
| 10+ | $0.4842 | $ 4.8420 |
| 30+ | $0.4262 | $ 12.7860 |
| 100+ | $0.3682 | $ 36.8200 |
| 500+ | $0.3331 | $ 166.5500 |
| 1000+ | $0.3156 | $ 315.6000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,SiC Diodes | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC1D02065E | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA@650V | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.3V@2A | |
| Current - Rectified | 7.5A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 18A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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191 Stock for Shipping Fast
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6015 | $ 0.6015 |
| 10+ | $0.4842 | $ 4.8420 |
| 30+ | $0.4262 | $ 12.7860 |
| 100+ | $0.3682 | $ 36.8200 |
| 500+ | $0.3331 | $ 166.5500 |
| 1000+ | $0.3156 | $ 315.6000 |
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