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HARRIS IRF730
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IRF730 |
| EBEE 부품 번호 | E83280381 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 400V 5.5A 100W 1Ω@10V,3A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4480 | $ 1.4480 |
| 200+ | $0.5607 | $ 112.1400 |
| 500+ | $0.5413 | $ 270.6500 |
| 1000+ | $0.5323 | $ 532.3000 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | HARRIS IRF730 | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | - | |
| 유형 | 1 N-channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 5.5A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V,3A | |
| 전력 손실(Pd) | 100W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 530pF@25V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 24nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4480 | $ 1.4480 |
| 200+ | $0.5607 | $ 112.1400 |
| 500+ | $0.5413 | $ 270.6500 |
| 1000+ | $0.5323 | $ 532.3000 |
