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Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | SGT50T65FD1PN |
| EBEE 부품 번호 | E82761787 |
| 패키지 | TO-3P-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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5367 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2575 | $ 1.2575 |
| 10+ | $1.0638 | $ 10.6380 |
| 30+ | $0.8526 | $ 25.5780 |
| 90+ | $0.7320 | $ 65.8800 |
| 510+ | $0.6796 | $ 346.5960 |
| 1200+ | $0.6542 | $ 785.0400 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs | |
| 데이터시트 | Hangzhou Silan Microelectronics SGT50T65FD1PN | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 콜렉터-이미터 항복 전압(Vces) | 650V | |
| 게이트 이미터 임계값 전압(Vge(th)@Ic) | 5V | |
| Pd - Power Dissipation | 235W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@15V | |
| Td(off) | 130ns | |
| Td(on) | 45ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 42pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 33ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 3.8mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 4.5nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | - | |
| Output Capacitance(Coes) | 100pF |
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5367 Stock for Shipping Fast
5367 available for immediate shipping1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2575 | $ 1.2575 |
| 10+ | $1.0638 | $ 10.6380 |
| 30+ | $0.8526 | $ 25.5780 |
| 90+ | $0.7320 | $ 65.8800 |
| 510+ | $0.6796 | $ 346.5960 |
| 1200+ | $0.6542 | $ 785.0400 |
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