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DOINGTER DOD30N02
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | DOD30N02 |
| EBEE 부품 번호 | E841416024 |
| 패키지 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 20V 30A 10mΩ@4.5V,15A 20W 1.2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0677 | $ 0.6770 |
| 100+ | $0.0535 | $ 5.3500 |
| 300+ | $0.0465 | $ 13.9500 |
| 2500+ | $0.0411 | $ 102.7500 |
| 5000+ | $0.0369 | $ 184.5000 |
| 10000+ | $0.0348 | $ 348.0000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | DOINGTER DOD30N02 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 10mΩ@4.5V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 160pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0677 | $ 0.6770 |
| 100+ | $0.0535 | $ 5.3500 |
| 300+ | $0.0465 | $ 13.9500 |
| 2500+ | $0.0411 | $ 102.7500 |
| 5000+ | $0.0369 | $ 184.5000 |
| 10000+ | $0.0348 | $ 348.0000 |
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