| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | CMSBN6601-HF |
| EBEE 부품 번호 | E83288065 |
| 패키지 | SMD-6P |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | 20V 13A 2W 8.5mΩ@3.8V,3A 800mV@1mA 2 N-Channel SMD-6P MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3575 | $ 1.3575 |
| 200+ | $0.5253 | $ 105.0600 |
| 500+ | $0.5075 | $ 253.7500 |
| 1000+ | $0.4986 | $ 498.6000 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 트랜지스터/사이리스터 ,MOSFET | |
| 데이터시트 | Comchip CMSBN6601-HF | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 유형 | 2 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 13A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@3.8V,3A | |
| 전력 손실(Pd) | 2W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 800mV@1mA | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | - | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | [email protected] |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3575 | $ 1.3575 |
| 200+ | $0.5253 | $ 105.0600 |
| 500+ | $0.5075 | $ 253.7500 |
| 1000+ | $0.4986 | $ 498.6000 |
