| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | AP190N15P |
| EBEE 부품 번호 | E83024872 |
| 패키지 | ITO-220AB-3 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | 150V 190A 210W 6.6mΩ@10V,20A 4V@250uA ITO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3345 | $ 1.3345 |
| 10+ | $1.0914 | $ 10.9140 |
| 50+ | $0.9583 | $ 47.9150 |
| 100+ | $0.8074 | $ 80.7400 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| 데이터시트 | A Power microelectronics AP190N15P | |
| RoHS | ||
| 작동 온도 | -55℃~+150℃ | |
| 드레인 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 연속 드레인 전류(Id) | 190A | |
| 저항의 드레인 소스(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.6mΩ@10V,20A | |
| 전력 손실(Pd) | 210W | |
| 게이트 임계값 전압(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 10pF@50V | |
| 입력 커패시턴스(Ciss@Vds) | 5.24nF@50V | |
| 총 게이트 요금(Qg@Vgs) | 18nC@10V |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3345 | $ 1.3345 |
| 10+ | $1.0914 | $ 10.9140 |
| 50+ | $0.9583 | $ 47.9150 |
| 100+ | $0.8074 | $ 80.7400 |
