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MOSFET
メーカー
- GeneSiC Semiconductor
パッケージ
- TO-247-4
帯域幅プロダクト(GBP)を得る
- -55℃~+175℃@(Tj)
評価される電圧
- 1 N-channel
連続的な排水の流れ(Id)
- 1.7kV
抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id)
- 124A
パワーディシパテーション(Pd)
- 26mΩ@15V,75A
ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id)
- 809W
逆移動容量(Crss@Vds)
- 2.7V@15mA
トータルゲートチャージ(Qg@Vgs)
- 10.187nF@1000V
コレクターカットオフ電流(Icbo)
- 400nC@15V
画像 | 価格 | 数量 | 在庫状況 | メーカー部品番号 | eBee Part# | Manufacturer | Product Name | Description | RoHS | パッケージ | 包装 |
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画像 | 価格 | 数量 | 在庫状況 | メーカー部品番号 | eBee部品番号 | メーカー | 商品名 | 説明 | RoHS | パッケージ | 包装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1+ $147.0086 30+ $141.0472 | 最小: 1 倍数: 1 | - | G3R20MT17K | E83281098 | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K | - | - | TO-247-4 | Tube-packed |
- 1