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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | WSB5558N-2/TR |
| EBEE部品番号 | E8240198 |
| パッケージ | DFN1006-2L |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V Independent Type 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
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110 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0463 | $ 0.4630 |
| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0322 | $ 9.6600 |
| 1000+ | $0.0287 | $ 28.7000 |
| 5000+ | $0.0258 | $ 129.0000 |
| 10000+ | $0.0244 | $ 244.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | ダイオード ,ショットキーダイオード | |
| データシート | WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR | |
| RoHS | ||
| 逆の漏出流れ(Ir) | 30uA@30V | |
| ダイオード構成 | Independent | |
| 電圧 - DC 逆(Vr)(最大) | 30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 450mV@100mA | |
| Current - Rectified | 100mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1A |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0463 | $ 0.4630 |
| 100+ | $0.0369 | $ 3.6900 |
| 300+ | $0.0322 | $ 9.6600 |
| 1000+ | $0.0287 | $ 28.7000 |
| 5000+ | $0.0258 | $ 129.0000 |
| 10000+ | $0.0244 | $ 244.0000 |
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