| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SIR890DP-T1-GE3 |
| EBEE部品番号 | E8222431 |
| パッケージ | PowerPAK-SO-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 20V 30A 5W 0.0029Ω@10V,10A 1V@250uA 1 N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8774 | $ 3.8774 |
| 10+ | $3.7989 | $ 37.9890 |
| 30+ | $3.3659 | $ 100.9770 |
| 100+ | $3.3131 | $ 331.3100 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VISHAY SIR890DP-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 4mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 310pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.747nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 810pF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8774 | $ 3.8774 |
| 10+ | $3.7989 | $ 37.9890 |
| 30+ | $3.3659 | $ 100.9770 |
| 100+ | $3.3131 | $ 331.3100 |
