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Vishay Intertech SIR890DP-T1-GE3


メーカー
メーカー部品番号
SIR890DP-T1-GE3
EBEE部品番号
E8222431
パッケージ
PowerPAK-SO-8
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
20V 30A 5W 0.0029Ω@10V,10A 1V@250uA 1 N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS
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1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$3.8774$ 3.8774
10+$3.7989$ 37.9890
30+$3.3659$ 100.9770
100+$3.3131$ 331.3100
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タイプ説明
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カテゴリDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
データシートVISHAY SIR890DP-T1-GE3
RoHS
タイプN-Channel
RDS(オン)4mΩ@4.5V
動作温度 --55℃~+150℃
逆移動容量(Crss@Vds)310pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation50W
Drain to Source Voltage20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.6V
Current - Continuous Drain(Id)30A
Ciss-Input Capacitance2.747nF
Output Capacitance(Coss)810pF
Gate Charge(Qg)60nC@10V

ショッピングガイド

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