| メーカー | |
| メーカー部品番号 | IRLR110PBF-VB |
| EBEE部品番号 | E819632133 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 15A 114mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4970 | $ 0.4970 |
| 10+ | $0.3906 | $ 3.9060 |
| 30+ | $0.3446 | $ 10.3380 |
| 100+ | $0.2874 | $ 28.7400 |
| 500+ | $0.2620 | $ 131.0000 |
| 1000+ | $0.2461 | $ 246.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec IRLR110PBF-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 140mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 60pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 950pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4970 | $ 0.4970 |
| 10+ | $0.3906 | $ 3.9060 |
| 30+ | $0.3446 | $ 10.3380 |
| 100+ | $0.2874 | $ 28.7400 |
| 500+ | $0.2620 | $ 131.0000 |
| 1000+ | $0.2461 | $ 246.1000 |
