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VBsemi Elec D9N05CLG-VB
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | D9N05CLG-VB |
| EBEE部品番号 | E820417721 |
| パッケージ | TO-252 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 60V 18A 73mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3232 | $ 0.3232 |
| 10+ | $0.2578 | $ 2.5780 |
| 30+ | $0.2283 | $ 6.8490 |
| 100+ | $0.1937 | $ 19.3700 |
| 500+ | $0.1642 | $ 82.1000 |
| 1000+ | $0.1539 | $ 153.9000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | VBsemi Elec D9N05CLG-VB | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 85mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 660pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 85pF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3232 | $ 0.3232 |
| 10+ | $0.2578 | $ 2.5780 |
| 30+ | $0.2283 | $ 6.8490 |
| 100+ | $0.1937 | $ 19.3700 |
| 500+ | $0.1642 | $ 82.1000 |
| 1000+ | $0.1539 | $ 153.9000 |
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