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Texas Instruments CSD88539ND


メーカー
メーカー部品番号
CSD88539ND
EBEE部品番号
E82867030
パッケージ
SOIC-8
顧客番号
データシート
EDAモデル
ECCN
EAR99
説明
60V 11.7A 2.1W 27mΩ@6V,5A 3V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
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378 在庫あり 即時出荷可能
378 即時出荷可能
1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
数量単価合計価格
1+$0.6934$ 0.6934
10+$0.5702$ 5.7020
30+$0.5086$ 15.2580
100+$0.4470$ 44.7000
500+$0.3933$ 196.6500
1000+$0.3744$ 374.4000
数量が多い場合の最良価格?
$
タイプ説明
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カテゴリDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays
データシートTI CSD88539ND
RoHS
動作温度-55℃~+150℃
タイプN-Channel
逆移動容量(Crss@Vds)2.6pF
Number2 N-Channel
Pd - Power Dissipation2.1W
Drain to Source Voltage60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)15A
Output Capacitance(Coss)91pF

ショッピングガイド

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