| メーカー | |
| メーカー部品番号 | CSD88539ND |
| EBEE部品番号 | E82867030 |
| パッケージ | SOIC-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 11.7A 2.1W 27mΩ@6V,5A 3V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6934 | $ 0.6934 |
| 10+ | $0.5702 | $ 5.7020 |
| 30+ | $0.5086 | $ 15.2580 |
| 100+ | $0.4470 | $ 44.7000 |
| 500+ | $0.3933 | $ 196.6500 |
| 1000+ | $0.3744 | $ 374.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| データシート | TI CSD88539ND | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | N-Channel | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 2.6pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Output Capacitance(Coss) | 91pF |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6934 | $ 0.6934 |
| 10+ | $0.5702 | $ 5.7020 |
| 30+ | $0.5086 | $ 15.2580 |
| 100+ | $0.4470 | $ 44.7000 |
| 500+ | $0.3933 | $ 196.6500 |
| 1000+ | $0.3744 | $ 374.4000 |
