| メーカー | |
| メーカー部品番号 | TDM3536 |
| EBEE部品番号 | E8380224 |
| パッケージ | PPAK-8(3x3) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V 46A 4.2mΩ@10V,12A 31.3W 2.5V@250uA 1 N-channel PPAK-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3603 | $ 1.8015 |
| 50+ | $0.2923 | $ 14.6150 |
| 150+ | $0.2632 | $ 39.4800 |
| 500+ | $0.2268 | $ 113.4000 |
| 3000+ | $0.2106 | $ 631.8000 |
| 6000+ | $0.2009 | $ 1205.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | Techcode TDM3536 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 65pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 31.3W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 900pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.8nC@15V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3603 | $ 1.8015 |
| 50+ | $0.2923 | $ 14.6150 |
| 150+ | $0.2632 | $ 39.4800 |
| 500+ | $0.2268 | $ 113.4000 |
| 3000+ | $0.2106 | $ 631.8000 |
| 6000+ | $0.2009 | $ 1205.4000 |
