| メーカー | |
| メーカー部品番号 | TDM3426B |
| EBEE部品番号 | E8189992 |
| パッケージ | SOT-89 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | - |
| 説明 | 30V 18A 3.5W 10mΩ@10V,10A 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-89 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2157 | $ 1.0785 |
| 50+ | $0.1679 | $ 8.3950 |
| 150+ | $0.1474 | $ 22.1100 |
| 500+ | $0.1218 | $ 60.9000 |
| 3000+ | $0.1104 | $ 331.2000 |
| 6000+ | $0.1035 | $ 621.0000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | Techcode TDM3426B | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 16mΩ@4.5V | |
| 動作温度 - | - | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 22pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 600pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 318pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2157 | $ 1.0785 |
| 50+ | $0.1679 | $ 8.3950 |
| 150+ | $0.1474 | $ 22.1100 |
| 500+ | $0.1218 | $ 60.9000 |
| 3000+ | $0.1104 | $ 331.2000 |
| 6000+ | $0.1035 | $ 621.0000 |
