37% off
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD4N80K5 |
| EBEE部品番号 | E8472540 |
| パッケージ | TO-252(DPAK) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 800V 3A 2.5Ω@10V,1.5A 60W 4V@100uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8697 | $ 0.8697 |
| 10+ | $0.8019 | $ 8.0190 |
| 30+ | $0.7590 | $ 22.7700 |
| 100+ | $0.7151 | $ 71.5100 |
| 500+ | $0.6952 | $ 347.6000 |
| 1000+ | $0.6872 | $ 687.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD4N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 2.5Ω@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 0.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 175pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@640V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8697 | $ 0.8697 |
| 10+ | $0.8019 | $ 8.0190 |
| 30+ | $0.7590 | $ 22.7700 |
| 100+ | $0.7151 | $ 71.5100 |
| 500+ | $0.6952 | $ 347.6000 |
| 1000+ | $0.6872 | $ 687.2000 |
