| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD35NF06T4 |
| EBEE部品番号 | E8435949 |
| パッケージ | DPAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 35A 80W 0.02Ω@10V,17.5A 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0145 | $ 1.0145 |
| 10+ | $0.8477 | $ 8.4770 |
| 30+ | $0.7559 | $ 22.6770 |
| 100+ | $0.6534 | $ 65.3400 |
| 500+ | $0.6075 | $ 303.7500 |
| 1000+ | $0.5876 | $ 587.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD35NF06T4 | |
| RoHS | ||
| RDS(オン) | 20mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 105pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 80W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0145 | $ 1.0145 |
| 10+ | $0.8477 | $ 8.4770 |
| 30+ | $0.7559 | $ 22.6770 |
| 100+ | $0.6534 | $ 65.3400 |
| 500+ | $0.6075 | $ 303.7500 |
| 1000+ | $0.5876 | $ 587.6000 |
