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STMicroelectronics STD13N65M2
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD13N65M2 |
| EBEE部品番号 | E82970253 |
| パッケージ | DPAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 10A 430mΩ@10V,5A 110W 4V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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35 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1598 | $ 1.1598 |
| 10+ | $1.1325 | $ 11.3250 |
| 30+ | $1.1148 | $ 33.4440 |
| 100+ | $1.0393 | $ 103.9300 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD13N65M2 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 430mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+150℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 1.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 590pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V |
ショッピングガイド
展開
35 Stock for Shipping Fast
35 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1598 | $ 1.1598 |
| 10+ | $1.1325 | $ 11.3250 |
| 30+ | $1.1148 | $ 33.4440 |
| 100+ | $1.0393 | $ 103.9300 |
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