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STMicroelectronics STD120N4F6
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD120N4F6 |
| EBEE部品番号 | E82970013 |
| パッケージ | DPAK |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 40V 80A 110W 4mΩ@10V,40A 2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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3 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7871 | $ 0.7871 |
| 10+ | $0.6474 | $ 6.4740 |
| 30+ | $0.5783 | $ 17.3490 |
| 100+ | $0.5092 | $ 50.9200 |
| 500+ | $0.4691 | $ 234.5500 |
| 1000+ | $0.4482 | $ 448.2000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD120N4F6 | |
| RoHS | ||
| タイプ | N-Channel | |
| RDS(オン) | 4mΩ@10V | |
| 動作温度 - | -55℃~+175℃ | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 350pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.85nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 650pF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC@10V |
ショッピングガイド
展開
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shipping1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7871 | $ 0.7871 |
| 10+ | $0.6474 | $ 6.4740 |
| 30+ | $0.5783 | $ 17.3490 |
| 100+ | $0.5092 | $ 50.9200 |
| 500+ | $0.4691 | $ 234.5500 |
| 1000+ | $0.4482 | $ 448.2000 |
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