| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STD10N60M6 |
| EBEE部品番号 | E83277921 |
| パッケージ | DPAK(TO-252) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 6.4A 520mΩ@10V,3.2A 60W 4.75V@250uA 1 N-channel DPAK(TO-252) MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4143 | $ 1.4143 |
| 200+ | $0.5483 | $ 109.6600 |
| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| データシート | ST STD10N60M6 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 1 N-channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 650V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 6.4A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 520mΩ@10V,3.2A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 60W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 4.75V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 3.88pF@100V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 338pF@100V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 8.8nC@010V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4143 | $ 1.4143 |
| 200+ | $0.5483 | $ 109.6600 |
| 500+ | $0.5289 | $ 264.4500 |
| 1000+ | $0.5199 | $ 519.9000 |
