| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N5884 |
| EBEE部品番号 | E85503645 |
| パッケージ | TO-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 80V 200W 35@3A,4V 25A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $22.8280 | $ 22.8280 |
| 200+ | $9.1086 | $ 1821.7200 |
| 500+ | $8.8053 | $ 4402.6500 |
| 1000+ | $8.6538 | $ 8653.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | Solid State System 2N5884 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 25A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 200W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 2mA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 80V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 35@3A,4V | |
| トランジション周波数(fT) | 4MHz | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | [email protected],25A | |
| トランジスタタイプ | PNP |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $22.8280 | $ 22.8280 |
| 200+ | $9.1086 | $ 1821.7200 |
| 500+ | $8.8053 | $ 4402.6500 |
| 1000+ | $8.6538 | $ 8653.8000 |
