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NTE ELECTRONICS, INC. NTE38
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | NTE38 |
| EBEE部品番号 | E86943820 |
| パッケージ | TO-66 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 350V 35W 10@1A,4V 2A PNP TO-66 Bipolar (BJT) ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $46.8233 | $ 46.8233 |
| 200+ | $18.6837 | $ 3736.7400 |
| 500+ | $18.0598 | $ 9029.9000 |
| 1000+ | $17.7513 | $ 17751.3000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | NTE Electronics NTE38 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 2A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 35W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 5mA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 350V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 10@1A,4V | |
| トランジション周波数(fT) | 20MHz | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 2V@125mA,1A | |
| トランジスタタイプ | PNP |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $46.8233 | $ 46.8233 |
| 200+ | $18.6837 | $ 3736.7400 |
| 500+ | $18.0598 | $ 9029.9000 |
| 1000+ | $17.7513 | $ 17751.3000 |
