| メーカー | |
| メーカー部品番号 | 2N5460 |
| EBEE部品番号 | E817182514 |
| パッケージ | TO-92-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| 説明 | 350mW 1 P-Channel 1mA 40V TO-92-3 JFETs RoHS |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0263 | $ 3.0263 |
| 200+ | $1.2078 | $ 241.5600 |
| 500+ | $1.1669 | $ 583.4500 |
| 1000+ | $1.1472 | $ 1147.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,JFETs | |
| データシート | NTE Electronics 2N5460 | |
| 動作温度 | -65℃~+135℃ | |
| 設定 | - | |
| RDS(オン) | - | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Ciss-Input Capacitance | 7pF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Drain Current (Idss) | 1mA | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 40V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | 750mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1pF |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0263 | $ 3.0263 |
| 200+ | $1.2078 | $ 241.5600 |
| 500+ | $1.1669 | $ 583.4500 |
| 1000+ | $1.1472 | $ 1147.2000 |
