| メーカー | |
| メーカー部品番号 | MNS2N3501P |
| EBEE部品番号 | E83201284 |
| パッケージ | TO-39(TO-205AD) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 150V 1W 100@150mA,10V 300mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $35.3979 | $ 35.3979 |
| 200+ | $13.6986 | $ 2739.7200 |
| 500+ | $13.2176 | $ 6608.8000 |
| 1000+ | $12.9799 | $ 12979.9000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP MNS2N3501P | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 300mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 150V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 400mV@150mA,15mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $35.3979 | $ 35.3979 |
| 200+ | $13.6986 | $ 2739.7200 |
| 500+ | $13.2176 | $ 6608.8000 |
| 1000+ | $12.9799 | $ 12979.9000 |
