| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JANTX2N5793A |
| EBEE部品番号 | E83201511 |
| パッケージ | TO-78-6 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 40V 600mW 40@150mA,10V 600mA NPN TO-78-6 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $365.6437 | $ 365.6437 |
| 200+ | $141.4992 | $ 28299.8400 |
| 500+ | $136.5273 | $ 68263.6500 |
| 1000+ | $134.0698 | $ 134069.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| データシート | MICROCHIP JANTX2N5793A | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 600mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 600mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 40V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 900mV@300mA,30mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $365.6437 | $ 365.6437 |
| 200+ | $141.4992 | $ 28299.8400 |
| 500+ | $136.5273 | $ 68263.6500 |
| 1000+ | $134.0698 | $ 134069.8000 |
