| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JANSR2N3439 |
| EBEE部品番号 | E83201254 |
| パッケージ | TO-39(TO-205AD) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 350V 800mW 40@20mA,10V NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $806.2989 | $ 806.2989 |
| 200+ | $312.0278 | $ 62405.5600 |
| 500+ | $301.0620 | $ 150531.0000 |
| 1000+ | $295.6446 | $ 295644.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JANSR2N3439 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | - | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 2uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 350V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@20mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 500mV@50mA,4mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $806.2989 | $ 806.2989 |
| 200+ | $312.0278 | $ 62405.5600 |
| 500+ | $301.0620 | $ 150531.0000 |
| 1000+ | $295.6446 | $ 295644.6000 |
