| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JANSF2N3019S |
| EBEE部品番号 | E86884143 |
| パッケージ | TO-39(TO-205AD) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 80V 800mW 100@150mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $433.5732 | $ 433.5732 |
| 200+ | $172.9989 | $ 34599.7800 |
| 500+ | $167.2178 | $ 83608.9000 |
| 1000+ | $164.3613 | $ 164361.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JANSF2N3019S | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 1A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 80V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $433.5732 | $ 433.5732 |
| 200+ | $172.9989 | $ 34599.7800 |
| 500+ | $167.2178 | $ 83608.9000 |
| 1000+ | $164.3613 | $ 164361.3000 |
