RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $392.8650 | $ 392.8650 |
| 200+ | $156.7571 | $ 31351.4200 |
| 500+ | $151.5185 | $ 75759.2500 |
| 1000+ | $148.9305 | $ 148930.5000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 500mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 400nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 15V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 20@100mA,1V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 450mV@10mA,100mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $392.8650 | $ 392.8650 |
| 200+ | $156.7571 | $ 31351.4200 |
| 500+ | $151.5185 | $ 75759.2500 |
| 1000+ | $148.9305 | $ 148930.5000 |
