RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $551.0854 | $ 551.0854 |
| 200+ | $219.8879 | $ 43977.5800 |
| 500+ | $212.5402 | $ 106270.1000 |
| 1000+ | $208.9082 | $ 208908.2000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 800mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 650mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 50nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 50V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1V@50mA,500mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $551.0854 | $ 551.0854 |
| 200+ | $219.8879 | $ 43977.5800 |
| 500+ | $212.5402 | $ 106270.1000 |
| 1000+ | $208.9082 | $ 208908.2000 |
