RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $348.9360 | $ 348.9360 |
| 200+ | $139.2280 | $ 27845.6000 |
| 500+ | $134.5763 | $ 67288.1500 |
| 1000+ | $132.2776 | $ 132277.6000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 800mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 50V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1.6V@50mA,500mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $348.9360 | $ 348.9360 |
| 200+ | $139.2280 | $ 27845.6000 |
| 500+ | $134.5763 | $ 67288.1500 |
| 1000+ | $132.2776 | $ 132277.6000 |
