| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JANS2N3737 |
| EBEE部品番号 | E83201324 |
| パッケージ | TO-46-3 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 40V 500mW 40@500mA,1V 1.5A NPN TO-46-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $273.2124 | $ 273.2124 |
| 200+ | $105.7305 | $ 21146.1000 |
| 500+ | $102.0149 | $ 51007.4500 |
| 1000+ | $100.1783 | $ 100178.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JANS2N3737 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 1.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 500mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 200nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 40V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@500mA,1V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 900mV@1A,100mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $273.2124 | $ 273.2124 |
| 200+ | $105.7305 | $ 21146.1000 |
| 500+ | $102.0149 | $ 51007.4500 |
| 1000+ | $100.1783 | $ 100178.3000 |
