| メーカー | |
| メーカー部品番号 | JANS2N3499 |
| EBEE部品番号 | E83201267 |
| パッケージ | TO-39(TO-205AD) |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 1W 100@150mA,10V 500mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $165.2587 | $ 165.2587 |
| 200+ | $63.9536 | $ 12790.7200 |
| 500+ | $61.7054 | $ 30852.7000 |
| 1000+ | $60.5964 | $ 60596.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| データシート | MICROCHIP JANS2N3499 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 500mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1W | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 100V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 600mV@300mA,30mA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $165.2587 | $ 165.2587 |
| 200+ | $63.9536 | $ 12790.7200 |
| 500+ | $61.7054 | $ 30852.7000 |
| 1000+ | $60.5964 | $ 60596.4000 |
