RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $557.6107 | $ 557.6107 |
| 200+ | $215.7888 | $ 43157.7600 |
| 500+ | $208.2049 | $ 104102.4500 |
| 1000+ | $204.4574 | $ 204457.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 30mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 350mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 10uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 60V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 300@1mA,5V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 300mV@1mA,100uA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $557.6107 | $ 557.6107 |
| 200+ | $215.7888 | $ 43157.7600 |
| 500+ | $208.2049 | $ 104102.4500 |
| 1000+ | $204.4574 | $ 204457.4000 |
