RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $287.5568 | $ 287.5568 |
| 200+ | $111.2809 | $ 22256.1800 |
| 500+ | $107.3701 | $ 53685.0500 |
| 1000+ | $105.4378 | $ 105437.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | - | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 800mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 1uA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 60V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 1.6V@500mA,50mA | |
| トランジスタタイプ | PNP |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $287.5568 | $ 287.5568 |
| 200+ | $111.2809 | $ 22256.1800 |
| 500+ | $107.3701 | $ 53685.0500 |
| 1000+ | $105.4378 | $ 105437.8000 |
