RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $195.9792 | $ 195.9792 |
| 200+ | $75.8422 | $ 15168.4400 |
| 500+ | $73.1770 | $ 36588.5000 |
| 1000+ | $71.8587 | $ 71858.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| コレクター電流(Ic) | 50mA | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 360mW | |
| コレクターカットオフ電流(Icbo) | 2nA | |
| コレクターエミッター故障電圧(Vceo) | 60V | |
| DC電流(hFE@Ic,Vce) | 250@1mA,5V | |
| トランジション周波数(fT) | - | |
| コレクターエミッタ飽和電圧(VCE(sat)@Ic、Ib) | 300mV@1mA,100uA | |
| トランジスタタイプ | NPN |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $195.9792 | $ 195.9792 |
| 200+ | $75.8422 | $ 15168.4400 |
| 500+ | $73.1770 | $ 36588.5000 |
| 1000+ | $71.8587 | $ 71858.7000 |
